Four d'oxydation

conçu en partenariat avec le LAAS-CNRS

 

Equipement destiné à réaliser et visualiser l’oxydation de matériaux semiconducteurs qui résulte de la combinaison d’une température élevée (entre 350 et 600°C) et d’un flux de gaz humide à basse pression, sur un wafer de 4 pouces

oxydation-furnace

 

● Nombre de zones de chauffe: 2
● Température nominale d’utilisation: 400°C
● Température maximum d’utilisation: 600°C
● Vitesse de montée en température de 20 à 400°C: 10-50°C/min
● Niveau de vide à froid: 10-2 mbar
● Pression de service: 100 à 800 mbar absolu
● Taux d’humidité: 0,6 à 30 g/h
● Contrôle optique en temps réel du procédé (précision/répétabilité =+/- 1μm)
● Automatisation du procédé pour une meilleure reproductibilité

 

Applications: fabrication de composants à semiconducteurs dans les domaines de la photonique (lasers VCSEL) et de la microélectronique

 

Vues du processus d'oxydation pendant 10mn

 

oxydation-tox-0 oxydation-tox-5 oxydation-tox-7 oxydation-tox-10
tox= 0 min tox= 5 min tox= 7 min tox= 10 min

 

 

 
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